Samsung 宣布首款 1TB eUFS 2.1 投入量產,為手機儲存容量打開新局 - 電腦王阿達

Samsung 宣布首款 1TB eUFS 2.1 投入量產,為手機儲存容量打開新局

伴隨著智慧型手機的迅速發展,包括相機畫質的進化、網路內容解析度的提升,消費者對手機內建儲存容量的需求越來越高,從過去最一般的 8GB、16GB 到現在許多旗艦機型選用的 256GB、512GB,但對於使用者來說容量永遠都不夠,今日(1/30)Samsung 正式宣佈將開始量產  1TB eUFS 2.1(embedded Universal Flash Storage),未來手機容量將得到更大的提升。
 1TB eUFS 2.1

Samsung 宣布首款 1TB eUFS 2.1 投入量產,為手機儲存容量打開新局

Samsung 在其官方網站上宣布業界首款容量高達 1TB 的 eUFS 2.1 將投入量產,這款基於第五代 V-NAND 技術所打造,容量達到 64GB 版本的 20 倍,速度則達到典型 microSD 記憶卡的 10 倍之多。在同樣尺寸的封裝內,1TB eUFS 較過去的 512GB 版本容量高出一倍,以 16 層堆疊 Samsung 最新的 512Gb V-NAND 快閃記憶體與調控器,智慧型手機使用者可以儲存 260 個 10 分鐘 4K UHD 高解析度影片,相較於目前一般手機高出 20 倍。

1TB eUFS 2.1 在讀寫速度上相當出色,使用者可在極短的時間內傳輸大量多媒體內容,新的 eUFS 速度高達1000 MB / s ,是傳統 2.5 吋 SATA 硬碟(SSD)連續讀取速度的兩倍,這表示將 5GB 大小的 FHD 影片從 NVMe SSD 複製出來所需時間僅 5 秒以內,是傳統 microSD 卡速度的 10 倍。此外,隨機讀取速度也較 512GB 版本提高了38%,最高可達 58,000 IOPS;隨機寫入比高效能 microSD 卡(100 IOPS)快 500 倍,最高可達 50,000 IOPS。

▲效能比較

這款最新的大容量 eUFS 預計在 2019 年上半於韓國的 Pyeongtaek 工廠擴大其第五代 512Gb V-NAND的產量,以滿足全球行動裝置製造商對 1TB eUFS 的需求,看起來手機容量超越 1TB 的將來近在咫尺。

 

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